基于砷化鎵工藝L波段混沌電路的設(shè)計.pdf

1、混沌具有偽隨機(jī)性、對初始條件的敏感依賴性等特性，使得混沌電路在諸多領(lǐng)域（如保密通信領(lǐng)域、傳感技術(shù)領(lǐng)域）得到廣泛應(yīng)用。在多種混沌電路方案中，由于Colpitts混沌電路具有輸出信號頻率高、頻帶寬度寬等特點(diǎn)，使得Colpitts混沌電路成為混沌電路研究中的熱點(diǎn)。
　　 傳統(tǒng)的Colpitts混沌電路都是用分立元件搭建而成的PCB板級電路，而分立元器件的參數(shù)誤差最高達(dá)到20％以上，因此傳統(tǒng)Colpitts混沌電路很難在實(shí)際的通訊領(lǐng)域得

2、到廣泛應(yīng)用。本文將電路元器件集成在單片Si或GaAs的基片上，用寄生參數(shù)較小的砷化鎵HBT取代傳統(tǒng)硅工藝的BJT;采用鏡像電流源做為電路的恒流源，解決現(xiàn)有技術(shù)利用大電感（1000nH以上）作為恒流源導(dǎo)致電路無法全集成問題;最后為了滿足作為混沌信號源的功率要求，在經(jīng)典微波Colpitts混沌電路后面加一級功率放大器，擴(kuò)大混沌電路的適用范圍。并且提出了具有寄生參數(shù)的Colpitts電路數(shù)學(xué)模型，使用微波仿真軟件Microwave offic