聚對(duì)二甲苯薄膜的制備及其在有機(jī)電致發(fā)光二極管中的應(yīng)用研究.pdf

1、自主設(shè)計(jì)制作出用于聚對(duì)二甲苯(parylene-N，PPXN)薄膜生長(zhǎng)的分子束源。在有機(jī)電致發(fā)光二極管(organic light emitting diodes，OLED)的陽(yáng)極-有機(jī)層界面插入PPXN薄膜緩沖層，器件的電流效率得到顯著增強(qiáng)。PPXN薄膜緩沖層插入器件的電子傳輸層中，同樣獲得了電流效率的明顯提升。
　　1.基于分子束外延技術(shù)，自主設(shè)計(jì)制作出用于PPXN薄膜制備的分子束源。通過(guò)結(jié)構(gòu)優(yōu)化，使用該分子束源可以在較低的反

2、應(yīng)壓強(qiáng)（10-3 Pa）下進(jìn)行PPXN薄膜的生長(zhǎng)，生長(zhǎng)速率范圍為0.001～0.06 nm/s。PPXN薄膜的生長(zhǎng)速率可以通過(guò)調(diào)節(jié)分子束源的坩堝溫度準(zhǔn)確控制。對(duì)所制備的PPXN薄膜進(jìn)行了紅外光譜、介電性和表面親疏水性表征;
　　2.PPXN薄膜緩沖層插入基于NPB(N，N'-bis(naphthalene-1-yl)-N，N'-bis(phenyl) benzidine)-Alq3(tris(8-hydroxyquinolato)

3、 aluminum)異質(zhì)結(jié)的OLED陽(yáng)極-有機(jī)層界面，在最佳的緩沖層厚度下，器件的電流效率相比參照器件提高1.7倍。研究發(fā)現(xiàn)，PPXN緩沖層對(duì)空穴和電子同時(shí)具有阻擋作用，只有在電子較好注入和傳輸?shù)絇PXN-Alq3界面積累，在PPXN內(nèi)部產(chǎn)生強(qiáng)電場(chǎng)的前提下，空穴的注入才能得到增強(qiáng)。這個(gè)結(jié)果吻合隧穿勢(shì)壘降低模型(tunneling barrier reduction model，TBRM)。插入的PPXN薄膜緩沖層改善了器件內(nèi)部的載流子平

4、衡，提高了器件效率;
　　3.基于NPB-Alq3異質(zhì)結(jié)的OLED的電子傳輸材料Alq3層中插入PPXN薄膜，也觀察到了器件電流效率的提升。在最佳的插入位置和PPXN薄膜厚度下，器件的電流效率相比對(duì)照器件提高了42％。通過(guò)對(duì)DCM(4-dicyanomethylene-2-methyl-6-p-dimethylaminostyryl-4H-pyran)摻雜的Alq3(Alq3∶DCM)發(fā)光帶電致發(fā)光譜的分析，發(fā)現(xiàn)在器件工作過(guò)程中，