高功率微波窗口擊穿及饋源技術(shù).pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩128頁(yè)未讀 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、饋源的功率容量已經(jīng)成為HPM(HPM)技術(shù)發(fā)展的-一個(gè)重要的限制,開展提高饋源功率容量的技術(shù)研究,對(duì)于HPM實(shí)用化具有很強(qiáng)的現(xiàn)實(shí)意義。饋源的功率容量在很大程度上取決于饋源的結(jié)構(gòu)形式和介質(zhì)窗口材料的擊穿特性,本文重點(diǎn)以幾種常用的窗口材料為實(shí)驗(yàn)材料,通過(guò)理論分析和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證相結(jié)合的方法,研究介質(zhì)窗擊穿特性,考察介質(zhì)窗表面特性及其對(duì)介質(zhì)擊穿過(guò)程的影響,探討HPM模式轉(zhuǎn)換器、旋轉(zhuǎn)關(guān)節(jié)及饋源的設(shè)計(jì)技術(shù)。主要工作包括:
   采用X射線光電子

2、能譜(XPS)、光學(xué)顯微鏡觀察、紅外光譜等幾種技術(shù)手段對(duì)介質(zhì)材料表面組分進(jìn)行了分析,發(fā)現(xiàn)介質(zhì)表面態(tài)中元素組分和材料肌體內(nèi)部的元素組分比例以及原子構(gòu)造均有著較大的差異:表面態(tài)中除了材料本身的組分以外,還存在O、N、K等元素,認(rèn)為這些元素的存在,是介質(zhì)表面擊穿閥值明顯下降的原因之一。
   對(duì)微波場(chǎng)下介質(zhì)窗口的擊穿現(xiàn)象進(jìn)行了理論探索和實(shí)驗(yàn)研究,闡述了微波作用下介質(zhì)發(fā)生擊穿的一般物理過(guò)程,討論了一次電子產(chǎn)生、二次電子倍增過(guò)程及其影響因

3、素;研究了介質(zhì)窗加工處理工藝對(duì)窗口表面態(tài)、介電特性的影響,認(rèn)為長(zhǎng)時(shí)間(24小時(shí))的烘烤對(duì)介質(zhì)損耗和體電阻均有較大影響,測(cè)量了擊穿過(guò)程中介質(zhì)表面的帶電現(xiàn)象,分析了介質(zhì)表面電子陷阱密度分布對(duì)介質(zhì)表面電荷沉積的影響;通過(guò)觀察擊穿前后試件的表面,發(fā)現(xiàn)在擊穿的初期,雜質(zhì)參與了擊穿的早期過(guò)程,是擊穿的薄弱點(diǎn),介質(zhì)表面光潔度越高其抗擊穿電壓值越大,平行于電場(chǎng)的劃痕明顯地降低了擊穿閾值并加劇了介質(zhì)表面的擊穿。
   研制了用于觀察微波場(chǎng)下介質(zhì)表

4、面電致發(fā)光現(xiàn)象的日盲型紫外探測(cè)儀和X射線探測(cè)設(shè)備,建立了利用光電診斷手段實(shí)驗(yàn)研究介質(zhì)窗口擊穿的方法,開展了百千瓦級(jí)波導(dǎo)口介質(zhì)擊穿實(shí)驗(yàn),獲得了介質(zhì)窗的擊穿判據(jù),對(duì)擊穿點(diǎn)移動(dòng)現(xiàn)象進(jìn)行了光學(xué)診斷并進(jìn)行了理論解釋,認(rèn)為擊穿產(chǎn)生的等離子體是引起窗口透射波過(guò)早截止的原因;用功函數(shù)的概念解釋了波導(dǎo)口介質(zhì)窗“三相點(diǎn)”的起電現(xiàn)象。
   建立了用于研究高功率(GW級(jí))、窄脈沖(納秒級(jí))微波作用下介質(zhì)擊穿現(xiàn)象的實(shí)驗(yàn)裝置,開展了介質(zhì)擊穿實(shí)驗(yàn),獲得了幾

5、種介質(zhì)窗材料的擊穿閾值;得到了介質(zhì)內(nèi)部的樹枝狀擊穿通道圖像并對(duì)其成因進(jìn)行了分析。測(cè)量了HPM源及介質(zhì)窗放電過(guò)程中的紫外線和X射線,并基于能帶理論提出了HPM作用下介質(zhì)窗口擊穿時(shí)一次電子的產(chǎn)生機(jī)制;認(rèn)為HPM作用下介質(zhì)窗的起電現(xiàn)象主要是源于HPM源產(chǎn)生的X射線對(duì)介質(zhì)窗的轟擊以及發(fā)生在介質(zhì)窗表面的局部微放電; HPM源產(chǎn)生的X射線和紫外線是介質(zhì)窗表面吸附氣體解吸和離化的主要原因之一。通過(guò)對(duì)介質(zhì)窗擊穿后的表面形態(tài)微觀分析,提出了HPM介質(zhì)窗損

6、壞的兩種形式:一種是由于微放電形成的火花閃爍(Sparking)引起的介質(zhì)窗表面“烤焦”,另一種是由于擊穿引起的介質(zhì)窗損壞。
   設(shè)計(jì)制作了用于某武器實(shí)驗(yàn)樣機(jī)的E面/H面輻射方向圖等化的饋源,并對(duì)該饋源的介質(zhì)窗口壽命進(jìn)行了高功率考核,結(jié)果表明在注入功率大于1GW、脈沖寬度20ns時(shí),饋源窗口的壽命大于6×104個(gè)脈沖。提出并研制了三鏡波束波導(dǎo)饋電的雙反射面天線、TM01圓波導(dǎo)彎頭和組合式旋轉(zhuǎn)關(guān)節(jié),實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明功率容量大于1GW

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論