高頻電子設(shè)備結(jié)構(gòu)的電磁兼容仿真技術(shù)研究.pdf

1、隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,電子設(shè)備朝著高頻率、高集成度方向發(fā)展的同時(shí)結(jié)構(gòu)也變得愈發(fā)復(fù)雜。并且在電磁環(huán)境變得日益復(fù)雜的情況下,對(duì)高頻電子設(shè)備進(jìn)行電磁兼容仿真分析是非常必要的。但是由于復(fù)雜的結(jié)構(gòu)和較高的工作頻率,給實(shí)際仿真中帶來(lái)了許多難題,如模型復(fù)雜導(dǎo)致網(wǎng)格數(shù)過(guò)多而無(wú)法仿真實(shí)現(xiàn)等。
　　因此,本文首先分析了電磁干擾的耦合機(jī)理,并基于電磁干擾耦合機(jī)理的理論,對(duì)影響高頻電子設(shè)備電磁兼容性的主要結(jié)構(gòu)因素進(jìn)行了理論分析。
　　其次通過(guò)對(duì)高

2、頻電子設(shè)備中通風(fēng)孔洞(孔陣)、復(fù)雜細(xì)小結(jié)構(gòu)的電磁兼容性仿真分析,得出高頻電子設(shè)備復(fù)雜結(jié)構(gòu)等效簡(jiǎn)化的方法。通過(guò)某高頻電子設(shè)備結(jié)構(gòu)等效簡(jiǎn)化前后仿真結(jié)果的對(duì)比,檢驗(yàn)了該方法的準(zhǔn)確性及合理性。
　　最后基于復(fù)雜結(jié)構(gòu)的等效簡(jiǎn)化方法,針對(duì)高頻電子設(shè)備內(nèi)部為保護(hù)敏感器件而采用雙層屏蔽體的情況,本文建立了雙層屏蔽體的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化仿真模型,通過(guò)軟件的協(xié)同仿真實(shí)現(xiàn)了電磁干擾經(jīng)雙層金屬屏蔽體的孔洞(孔陣)、線纜耦合進(jìn)屏蔽體內(nèi)部的二次耦合場(chǎng)強(qiáng)、線纜二次耦合量