稀釋磁性半導體Mn-,x-Sn-,1-x-O-,2-一維納米結構的制備、生長機理、微結構和磁性研究.pdf

1、用化學氣相沉積法(CVD)成功制備了SnO2和MnxSn1-xO2納米線及納米帶，探索了制備錳摻雜納米線和納米帶的條件和工藝。利用場發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)、X射線能量色散譜(EDS)、高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM)、選區(qū)電子衍射(SAED)、拉曼散射(Raman)、X射線光電子能譜儀(XPS)等表征手段，詳細研究了樣品的形貌、微結構、成分和價態(tài)；利用光致發(fā)光譜儀(PL)研究了樣品的光學性質(zhì)；利用超導量子干

2、涉儀(SQUID)研究了樣品的磁性。并詳細討論了納米線和納米帶樣品的生長機理和磁性來源。得出主要結論如下：
　　 1.利用化學氣相沉積法，在Si襯底上制備了SnO2和MnxSn1-xO2納米線和納米帶樣品。其中納米線直徑在30nm左右，納米帶厚約100nm，寬500nm，納米線和納米帶都表面光滑，直徑在軸向上沒有明顯變化，長度大于40μm。
　　 2.XRD結果顯示SnO2和MnxSn1-xO2納米線和納米帶都是四方金紅

3、石結構，沒有Mn單質(zhì)和氧化物的峰出現(xiàn)。
　　 3.XPS結果顯示錳是以Mn3+和Mn4+的形式替代SnO2中的Sn4+進入樣品晶格中的。
　　 4.HRTEM和SAED結果顯示Mn摻雜SnO2納米線是單晶結構，生長方向沿[101]方向。
　　 5.探討了純氧化錫和錳摻雜氧化錫兩種一維納米結構的生長機理，認為氧化錫納米線和納米帶的生長機理是傳統(tǒng)的汽—液—固(VLS)機理，而錳摻雜氧化錫納米線和納米帶則是汽—固(VS