一維SiC納米材料微結(jié)構(gòu)與生長機理的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文對利用溶膠-凝膠與碳熱還原法制備的一維(lD)SiC納米材料進行了深入的電子顯微學分析。在分析中我們發(fā)現(xiàn)了許多具有特殊結(jié)構(gòu)與形貌的lD SiC納米材料,有許多形貌特征與生物界的很多個體非常相似。 在細致的電子顯微學研究之后,本文認真研究了它們的生長機理,并搭建了一些生長模型來試圖解釋它的生長機理。 本文對兩大類lD SiC納米材料進行了細致地研究:一類是在溶膠-凝膠法制備的過程中添加了催化劑Ni。第二類是在利用溶膠-

2、凝膠法制備的過程中沒有添加任何催化劑。在第一類樣品中本文根據(jù)在制備過程中Ni的添加量的多少以及制備時間的長短和最后對樣品處理程度的不同分別進行了取樣分析,并將其分成了1號到7號樣品;在第二類沒有使用任何催化劑制備的lD SiC納米材料中本文直接研究了是經(jīng)過酸化處理后的成品。 在對第一類的1號到7號樣品進行研究的過程中發(fā)現(xiàn)并沒有表面光滑,并且長徑比比較大的lD SiC納米材料生成,只有在3號和7號中發(fā)現(xiàn)了明顯的具有l(wèi)D結(jié)構(gòu)的SiC

3、納米材料的出現(xiàn),并且在3號樣品中發(fā)現(xiàn)了一種“中間孿晶納米線與外圍螺旋納米線偶合”的特殊lD SiC結(jié)構(gòu),在本文中將其簡稱為PHC SiC納米結(jié)構(gòu)(pillar-helix coupled SiC nanostructure)。并且本文在對它進行了細致的電子顯微學表征后提出了它的生長機理。 在對第二類樣品進行研究的過程中發(fā)現(xiàn)了許多類似生物界許多個體的lDSiC形貌的出現(xiàn)。比如,竹狀、球鏈狀等等。在對其進行了細致的電子顯微學表征后也

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