氧化釩熱敏感材料的制備及微橋結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、該文以高純金屬釩作為靶材,采用磁控濺射工藝制備氧化釩薄膜.并分析了濺射功率,基片溫度和濺射氣氛等對(duì)薄膜方阻值的影響.分析表明當(dāng)氧含量增加時(shí),薄膜方阻顯著增加.濺射功率一方面影響氧和釩的結(jié)合程度,另一方面又明顯影響薄膜的生長(zhǎng)速率及薄膜的厚度,所以在其它工藝條件固定的情況下,出現(xiàn)了方阻極大值.基片溫度的變化直接影響膜層的生長(zhǎng)及特性,可以明顯地改善薄膜的機(jī)械強(qiáng)度和附著力,而且隨著基片溫度的升高,在磁控濺射過(guò)程中各個(gè)價(jià)態(tài)的釩容易向高價(jià)的釩進(jìn)行轉(zhuǎn)

2、換.并且發(fā)現(xiàn)方阻為45-60KΩ的薄膜比方阻為15-25KΩ有較強(qiáng)的相變特征.通過(guò)樣品XPS分析得到在固定基片溫度,濺射功率和氬流量后,隨著氧流量的增加,四價(jià)釩和低價(jià)態(tài)釩在各態(tài)釩中含量比例存在一直增大的趨勢(shì),但當(dāng)達(dá)一定的值后再增加氧含量,四價(jià)釩和低價(jià)釩的含量增加的趨勢(shì)變緩.首次在國(guó)內(nèi)成功的制備出比較完整的VOx非制冷紅外焦平面器件的微橋結(jié)構(gòu),在微橋結(jié)構(gòu)制備過(guò)程中,犧牲層應(yīng)采用光敏性的聚酰亞胺,在PECVD上用特殊工藝制作的光敏性聚酰亞胺

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