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文檔簡介
1、該論文的主要研究成果有兩部分:第一、基于STM的納米材料的表征、改性與納米加工1)基于STM的常規(guī)模式對金屬有機(jī)絡(luò)合物Ag-TCNQ的電雙穩(wěn)特性進(jìn)行表征并且制作納米存儲點陣.分析了脈沖電壓極性、脈沖幅值、脈沖寬度等參量對在Ag-TCNQ薄膜上制作存儲點陣的影響,并成功獲得了納米尺度的存儲點陣,達(dá)到了高密度存儲的標(biāo)準(zhǔn).2)基于STM的"接觸"模式對金屬有機(jī)絡(luò)合物Ag-TCNQ的電雙穩(wěn)特性進(jìn)行深入研究,克服了STM的空氣隧道結(jié)對測量薄膜樣品
2、電阻的影響,得到并分析了Ag-TCNQ薄膜在用STM進(jìn)行電學(xué)改性前后高低電阻比,其值大于10<'4>,并在該模式下成功獲得了納米尺度的存儲點.這個"接觸"模式是對STM的常規(guī)表征、加工模式的有力補(bǔ)充.3)尋找在超高密度信息存儲領(lǐng)域具有潛在應(yīng)用價值的新型有機(jī)材料.基于STM的常規(guī)模式對以Langmuir-Blodgett膜方法制備的硬脂酸樣品的電學(xué)特性進(jìn)行了研究,并成功獲得了納米尺度的存儲點陣,并且對存儲時間做了深入研究,存儲時間至少大于
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