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1、天津大學(xué)碩士學(xué)位論文AFM電場誘導(dǎo)氧化加工中環(huán)境因素的影響姓名:鄭麗芬申請學(xué)位級別:碩士專業(yè):測試計(jì)量技術(shù)及儀器指導(dǎo)教師:胡小唐20030101ABSTRACTNanotechnologyisananterior、crossingandnewsciencefieldthathasbeengraduallygrowingsincethelate1980sItisanovelscienceandtechnologybasedonthebas
2、icstudyandapplicationresearch,whosefinalaimistofabricatespecifiedfunctionalproductsonthemanometerscaleonthebaseofatomsandmoleculesNanofabrieationtechnologyisthekeypointofnanotechnologyandtheachievementofnanometerdevicede
3、pendsonitsenhancementandinnovationSinceSPMisproventobealleffectivetooltoachievingatomicandmolecularmanipulationandparentingonthenanometerscale,thefabricationtechniquehasattractedattentionofalargenumberofresearchgroupsint
4、heworldTheseyears,theapproachesofnanofabricationusingSPMhaveagreatdealofdevelopmentwhilethenanofabricationbasedOilSPMfieldinducedoxidationiSmostmarkedTheresearchoffieldinducedoxidationbyAFMhasbeengoingalongforabouttenyea
5、rs,butithassomeshortcomingsintheoryandexperimentmethodIntheorythethesismostlytellsabouttheeffectoffabricationparametersandenvironmentparametersonnanostructure,inaddition,theknowledgeofinducedoxidationtheoryisdeepenedandt
6、heappropriatefabricationenvironmentisbroughtforwardInapplication,wehavegropedenvironmentparametersandfabricationparameterstooptimizenanostructure,whichoffersfoundationfornanoelectronicdevicesinthefutureThemaincontentsinc
7、lude:1AnalyzingthebasictheoryofAFMfieldinducedoxidationandfieldoxidationtheoryofSi;2BringingforwardanapproachofeleanoutofSi,andtheRMSofSiafiercleanoutmeetingtherequireofnanofabrication;3Analyzingtheinfluencingfactorsofth
8、resholdvoltage,especiallytheeffectofoxygenconcentrationonthresholdvoltage;4Analyzingtheeffectoffabricationparameters(includingbiasvolmgeandSCanrate)ontheresultsoftheexperiments;5Experimentalizingindifferentenvironmentpar
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