VLSI物理設(shè)計(jì)中關(guān)鍵問(wèn)題求解的算法研究.pdf

1、當(dāng)前集成電路工藝技術(shù)的快速發(fā)展沖擊著VLSI CAD技術(shù),即CAD軟件的發(fā)展落后于集成電路工藝技術(shù)的發(fā)展.這就要求研究人員根據(jù)目前的工藝技術(shù)不斷改進(jìn)布局布線、邏輯綜合及驗(yàn)證工具,開(kāi)發(fā)出更加適合VLSI產(chǎn)業(yè)發(fā)展的物理設(shè)計(jì)算法及可靠的集成電路設(shè)計(jì)軟件產(chǎn)品.本文即是在這個(gè)思想的引導(dǎo)下展開(kāi)的,主要研究?jī)?nèi)容如下:1.系統(tǒng)闡述了VLSI CAD技術(shù)的發(fā)展及集成電路物理設(shè)計(jì)的主要內(nèi)容,對(duì)物理設(shè)計(jì)中幾個(gè)重要階段(如電路劃分、標(biāo)準(zhǔn)單元布局和時(shí)鐘布線)中所

2、采用算法的研究進(jìn)展做了詳細(xì)介紹,同時(shí)在第二章介紹了物理設(shè)計(jì)的算法基礎(chǔ).2.在電路劃分問(wèn)題的研究中,先后提出了K-L改進(jìn)劃分算法、基于聚類技術(shù)的F-M電路劃分算法、不同編碼的遺傳算法設(shè)計(jì)及混合式遺傳電路劃分算法,前兩種方法均為傳統(tǒng)啟發(fā)式算法的改進(jìn),較之原有算法得出的結(jié)果有所改進(jìn).3.針對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元布局問(wèn)題,提出了一種適應(yīng)性模擬退火算法,在傳統(tǒng)的模擬退火算法中引入適應(yīng)性初始溫度和適應(yīng)性搜索區(qū)域的概念,并對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元布局中目標(biāo)函數(shù)中的懲罰項(xiàng)作出相