薄膜阻容網(wǎng)絡(luò)集成工藝研究.pdf

1、隨著電子系統(tǒng)向體積更小、速度更快、功能更多、性能更強(qiáng)的方向發(fā)展，電子元器件越來(lái)越朝著微型化、薄膜化、集成化、多功能化的方向發(fā)展。電子元器件中有源器件已經(jīng)高度集成化，而無(wú)源元件很長(zhǎng)時(shí)間以來(lái)都是以分立元件的形式被使用，因此，電子系統(tǒng)的小型化主要依賴于無(wú)源元件的薄膜化以及高度集成化。本論文對(duì)兩類典型無(wú)源元件——電阻和電容的薄膜化集成工藝進(jìn)行了研究，主要包括：氮化硅（SiNx）薄膜MIM電容器的制備工藝與性能研究；氮化鉭（TaN）電阻薄膜制備與

2、圖形化工藝的改進(jìn)與優(yōu)化；薄膜RC濾波器網(wǎng)絡(luò)的制備工藝與性能研究。主要結(jié)果如下：
　?。?）采用真空電阻蒸發(fā)方法在被釉氧化鋁陶瓷基片上制備電極薄膜，PECVD沉積SiNx介質(zhì)薄膜，并對(duì)各薄膜進(jìn)行光刻圖形化，制成Au/NiCr/SiNx/Au/NiCr結(jié)構(gòu)的MIM電容器。研究了電容器的介電性能、介溫性能和I-V特性等電學(xué)性能。結(jié)果表明：所得MIM電容器具有較好的電壓穩(wěn)定性、較低的損耗，1MHz頻率下tan?為1.92‰，在-55～15

3、0℃，TCC為258ppm/℃，MIM的I-V特性曲線顯示了較好的對(duì)稱性、低的漏電流密度和高的耐壓。
　?。?）采用射頻反應(yīng)磁控濺射法制備 TaN電阻薄膜，研究了濺射功率密度對(duì)TaN薄膜電阻器 TCR的影響，在0.64w/cm2時(shí)制備出了50Ω/□、較低 TCR（-46ppm/℃）的TaN薄膜電阻。通過(guò)對(duì)TaN電阻薄膜圖形化工藝的研究，獲得了較為優(yōu)化的TaN薄膜圖形化工藝流程。
　?。?）通過(guò)對(duì)TaN電阻與 SiNx電容的薄