ITO薄膜的制備工藝及研究.pdf

1、20世紀(jì)90年代以來(lái),顯示技術(shù)和光通訊技術(shù)的迅猛發(fā)展和產(chǎn)業(yè)化,極大的促進(jìn)了光電薄膜的發(fā)展,同時(shí)對(duì)光電薄膜提出了更多更高的要求,論文針對(duì)太陽(yáng)能透明電極的要求,對(duì)光電薄膜進(jìn)行了制備和深入的研究.透明導(dǎo)電氧化物薄膜材料具有大的載流子濃度和光學(xué)禁帶寬度因而表現(xiàn)出優(yōu)良的光電特性,如:低的電阻率和高的可見(jiàn)光透過(guò)率等.目前,此類材料體系包括In<,2>O<,3>、SnO<,2>、ZnO及其摻雜體系In<,2>O<,3>:Sn(ITO)、SnO<,2>

2、:Sb、SnO<,2>:F、ZnO:Al(ZAO)等.其中SnO<,2>(TO)和In<,2>O<,3>:Sn(ITO)薄膜作為透明電極在液晶顯示和太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域得到實(shí)際應(yīng)用.多種工藝可以用來(lái)制備透明導(dǎo)電薄膜,如磁控濺射真空反應(yīng)蒸發(fā)、化學(xué)氣相沉積、溶膠-凝膠法以及脈沖激光沉積等.其中磁控濺射工藝具有沉積速率高均勻性好等優(yōu)點(diǎn)而成為一種廣泛應(yīng)用的成膜方法.該研究課題分別以氧化銦錫靶和銦錫合金靶為靶材,采用射頻磁控濺射和直流反應(yīng)磁控濺射工藝

3、在氬氣氣氛中沉積ITO薄膜.靶材中SnO<,2>和Sn的摻雜重量比例分別為10％和7%.用XRD、SEM、和可見(jiàn)光-紫外分光光度計(jì)等測(cè)試手段對(duì)沉積的薄膜進(jìn)行了表征.結(jié)果表明,對(duì)于ITO薄膜,薄膜的光電性能薄膜結(jié)構(gòu)的擇優(yōu)取向性和與襯底溫度、濺射氧氣壓等工藝參數(shù)有很大關(guān)系,ITO薄膜的SEM表明,樣品表面較平整,且晶粒也比較致密.實(shí)驗(yàn)還發(fā)現(xiàn),在一定的溫度范圍內(nèi)隨著襯底溫度的升高,薄膜中產(chǎn)生的氧空位將會(huì)增多,使得ITO薄膜的電導(dǎo)逐漸增大,而且