ITO前驅(qū)物漿料制備及工藝對薄膜性能的影響.pdf

1、銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，簡稱ITO)薄膜是一種n型半導(dǎo)體，由于其優(yōu)異的光電性能及熱穩(wěn)定性，被大量用于各種光電儀器設(shè)備中。本文以無機(jī)鹽為原料采用溶膠．凝膠法制備ITO無機(jī)和有機(jī)兩種前驅(qū)物漿料，并在鍍有SiO<,2>的玻璃基片上制備ITO薄膜，同時對ITO前驅(qū)物漿料和ITO薄膜的性能進(jìn)行了研究。 在無機(jī)前軀體制備法中，利用沉降實驗、Zeta電位、透射電鏡研究了分散劑對漿料穩(wěn)定性能的影響。通過考察不同pH值條件下

2、，分散劑的種類及用量對ITO漿料穩(wěn)定性的作用，探究添加劑對膠體溶液所起的靜電效應(yīng)和空間位阻效應(yīng)。TEM照片表明漿料中的顆粒粒徑范圍為10～20mm。通過對不同熱處理條件的研究表明，熱處理溫度越高，薄膜晶體的晶形結(jié)構(gòu)越完全，晶體結(jié)構(gòu)缺陷越少，ITO薄膜的光透過率增大，方電阻減小。不同Sn摻雜量對ITO薄膜光電性能影響的研究表明：不同Sn摻雜的ITO膜均為單一的立方鐵錳礦結(jié)構(gòu)；薄膜在可見光區(qū)平均透過率≥82％；基于對不同Sn摻雜量ITO薄膜

3、的XRD數(shù)據(jù)分析，結(jié)果表明無機(jī)前軀體法制備ITO薄膜的自由載流子主要來源于氧缺位提供的導(dǎo)電電子；薄膜中自由電子由價帶至導(dǎo)帶的躍遷屬于直接躍遷，且光學(xué)能隙值隨Sn摻雜量的增加呈先增加后減小的趨勢。 有機(jī)前軀體制備法中，采用溶膠．凝膠法在玻璃基片上制備出了光電性能優(yōu)異的ITO薄膜。研究了分散劑對ITO薄膜的結(jié)構(gòu)和光電性能的影響，結(jié)果表明ITO薄膜晶體的擇優(yōu)生長方向，表面形貌以及光透過率取決于分散劑的種類。隨著熱處理溫度的增加，在不同