直流磁控濺射法制備ITO薄膜及增透效果的研究.pdf

1、透明導(dǎo)電氧化物(TCO)薄膜具有透明性和導(dǎo)電性，廣泛應(yīng)用在平面顯示器、太陽能電池、表面發(fā)熱器、熱輻射反射鏡、電磁屏蔽以及輻射防護等領(lǐng)域。摻銦氧化錫(ITO)薄膜屬于透明導(dǎo)電氧化物薄膜中的一種。本文在室溫條件下制備了ITO薄膜，采用紫外-可見光-紅外分光光度計、四探針電阻儀、AFM、XRD、SEM等儀器對薄膜的光電性能和表面形貌進行了測定和分析。
　　本文采用直流磁控濺射法室溫條件下制備了ITO薄膜，優(yōu)化了ITO薄膜的制備工藝，如靶

2、材的角度、氧流量、濺射時間和濺射功率對薄膜的透過率、方阻和表面結(jié)構(gòu)的影響。得到方阻和透過率隨靶材的角度、氧流量、濺射時間和濺射功率的變化曲線。當(dāng)靶材角度在23～25°、氧流量在7～9sccm、濺射時間在60～90min和濺射功率在100～120W時獲得可見光透過率高于90％，方阻在10～20Ω/□(方阻單位)之間的優(yōu)質(zhì)ITO薄膜。且濺射時間和濺射功率影響ITO薄膜的結(jié)晶程度，濺射時間60分鐘，在(222)晶面擇優(yōu)取向；濺射功率為120w

3、，在(222)和(221)晶面同時出現(xiàn)了衍射峰。
　　通過對ITO薄膜進行熱處理，薄膜的透過率和表面形貌進行了優(yōu)化，當(dāng)濺射角度較小，氧流量約為7sccm，濺射時間和濺射功率越大時，熱處理后的薄膜可見光透過率達到95％以上，薄膜表面粗糙度較小，薄膜致密。
　　通過采用射頻磁控濺射法在Ar氣氛下制備SiO2薄膜，實驗結(jié)果表明，在相同工藝條件下，調(diào)節(jié)濺射時間和濺射功率，增透過的ITO薄膜透過率都有提高，透過率在可見光范圍內(nèi)增加幅度