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文檔簡介
1、當集成電路的特征尺寸減小至180nm或更小時，互連寄生的電阻，電容引起的延遲，串擾和能耗已成為發(fā)展高速、高密度、低功耗和多功能集成電路需解決的瓶頸問題。采用低介電常數(shù)(low—k)介質(zhì)薄膜作金屬線間和層間介質(zhì)以代替?zhèn)鹘y(tǒng)SiO2介質(zhì)(k≈4)是降低互連延遲、串擾和能耗的有效方法。非晶氮化碳薄膜(CNx)是一種很有前景的low—k材料，在力學性能、化學穩(wěn)定性等方面完全滿足集成電路工藝的要求。 本文選擇p型摻雜單晶硅作為基底，用高純石
2、墨為靶材，高純氮氣和氬氣為工作氣體，利用雙放電腔微波ECR等離子體增強非平衡磁控濺射(MW—ECR PEUMS)系統(tǒng)，通過改變沉積工藝參數(shù)，在室溫下制備CNx薄膜。通過傅立葉變換紅外光譜、X光電子能譜表征技術(shù)，納米壓痕測量，C—V測試儀以及橢偏儀測試手段，研究了N含量和基底負偏壓對CNx薄膜微觀結(jié)構(gòu)和介電性能，硬度等宏觀性能的影響以及它們之間的內(nèi)在聯(lián)系。研究結(jié)果表明，隨著CNx薄膜N/C比的增大，sp3 C—N的形成受到抑制，sp2C—
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