內建電場對納結構半導體材料功函數(shù)調制研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文從半導體材料和能帶結構出發(fā)，依據(jù)介觀壓阻效應的延伸效應-介觀光電效應，對內建電場的產生機制做了詳細的理論研究，主要討論了PN結內建電場、晶體的壓電場、鐵電體的極化產生的內建場。 首先從理論研究了納結構半導體材料功函數(shù)調制所需條件，詳細說明了半導體的費米能級，并簡化了費米能級的計算公式。 其次設計了兩種非對稱勢壘和勢阱，并模擬了透射系數(shù)隨電子入射能量變化，分析了非對稱條件下內建電場對外加偏壓下隧穿電流的影響。通過實驗測

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