二維半導(dǎo)體材料空位及應(yīng)力對(duì)電子結(jié)構(gòu)的影響.pdf

1、目前二維半導(dǎo)體材料受到廣泛關(guān)注，過渡金屬硫化物，磷烯，砷烯等二維材料因其良好的電學(xué)、光學(xué)等性質(zhì)而被廣泛研究。
　　鑒于二維半導(dǎo)體材料的電子器件在實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域的要求，對(duì)電子性質(zhì)的可控調(diào)制顯得越發(fā)重要.研究表明，二硫化鉬、黑磷烯、砷烯等材料的能帶結(jié)構(gòu)能通過應(yīng)力來改變.同時(shí)引入空位缺陷也能對(duì)能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)控.本文通過第一性原理方法研究了過渡金屬硫化物，如黑磷烯，兩種砷烯(buckled-，puckered-)的結(jié)構(gòu)模型及能帶結(jié)構(gòu).進(jìn)一步

2、討論了空位對(duì)buckled砷烯電子結(jié)構(gòu)的影響，以及加入雙軸應(yīng)力后，二硫化鉬、黑磷烯、砷烯電子結(jié)構(gòu)的變化規(guī)律.
　　考慮幾種不同的空位對(duì)buckled砷烯的影響，發(fā)現(xiàn)無論空位位置如何，禁帶寬度明顯比無空位時(shí)的禁帶寬度要小.微小的雙軸應(yīng)力并沒有改變黑磷烯的直接帶隙類型，只是使禁帶寬度的大小發(fā)生變化.兩種砷烯結(jié)構(gòu)在雙軸應(yīng)力時(shí)都由間接帶隙轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯訋栋雽?dǎo)體，禁帶寬度也會(huì)隨應(yīng)變的不同而變化，轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯訋稌r(shí)價(jià)帶頂和導(dǎo)帶底所在對(duì)稱點(diǎn)不同.雙