2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè)，還剩72頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶(hù)提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、一維納米材料由于具有非常優(yōu)越的電學(xué)、光學(xué)和磁學(xué)性從而引起了人們的廣泛關(guān)注。作為現(xiàn)代微電子產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)的硅材料，其納米線陣列及其化合物納米線陣列的制備和性能研究引起了科學(xué)界極大的興趣。盡管人們對(duì)硅及硅化物納米線進(jìn)行了很多探索，但納米線的生長(zhǎng)機(jī)理及其應(yīng)用還需要更深入的研究。
　　 本論文在綜述國(guó)內(nèi)外對(duì)硅及硅化物納米材料的制備、性能研究和應(yīng)用的基礎(chǔ)上，利用化學(xué)氣相沉積法成功制備了單晶硅納米線陣列及鎳硅納米線陣列，并研究了這些納米線陣列在鋰

2、離子電池上的應(yīng)用，取得了以下的創(chuàng)新成果。
　　 (1)采用化學(xué)氣相沉積法成功制備陣列化的硅納米線，并研究了襯底溫度、硅烷濃度、生長(zhǎng)時(shí)間對(duì)硅納米線形貌的影響。依據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果解釋了硅納米線的生長(zhǎng)機(jī)理。最后將陣列化的硅納米線應(yīng)用在鋰離子電池中，經(jīng)過(guò)15個(gè)循環(huán)之后，可逆容量仍然高達(dá)3600mAhg-1，顯示優(yōu)良的循環(huán)性能。
　　 (2)在泡沫鎳襯底上采用化學(xué)氣相沉積法成功制備了陣列化的Ni2Si納米線，并研究了襯底溫度、硅烷濃度、

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論