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文檔簡介
1、疊層QFN器件中同時集成了多個芯片,功能極為強大,但這種高密度封裝方式大大增加了失效的風險和設(shè)計的復(fù)雜度,尤其是這種芯片堆疊的封裝形式,在疊層QFN器件制造和使用過程中,極易產(chǎn)生界面層裂失效。本文在國家自然科學基金項目“微電子封裝中的界面層裂失效和界面強度可靠性設(shè)計方法”的資助下,針對疊層QFN器件在熱、濕因素影響下的一系列界面強度可靠性問題進行了研究,并在此基礎(chǔ)上探索器件結(jié)構(gòu)參數(shù)對界面可靠性的影響。主要研究內(nèi)容及結(jié)論如下:
2、1.環(huán)氧模塑封材料(EMC)的粘彈性特性實驗表征。粘彈性是EMC的一種重要動態(tài)力學行為,準確表征這一特性對EMC材料在有限元中正確建模是相當重要的。通過動態(tài)熱機械分析(DMA)實驗獲得了EMC的粘彈性材料特性,對實驗數(shù)據(jù)進行處理,最終可獲得松弛時間與松弛系數(shù)等建模所需參數(shù)。
2.對疊層QFN器件的界面可靠性問題進行分析。首先對疊層QFN器件界面間濕氣擴散情況進行分析,經(jīng)過濕氣預(yù)處理以后,EMC材料大部分接近飽和,母芯片(mot
3、her die)與銅引腳(leadframe)之間尤其是芯片拐角處的芯片粘接劑(DA)已達到了飽和狀態(tài)。接著對濕熱集成應(yīng)力下的疊層QFN器件的翹曲情況及最大主應(yīng)力分布進行研究。研究發(fā)現(xiàn)器件經(jīng)過濕氣預(yù)處理后比未進行預(yù)處理前翹曲值增加了30.28﹪。器件最大主應(yīng)力出現(xiàn)在回流焊峰值溫度為260℃時,母芯片下表面中心部位,應(yīng)力值高達95.59MPa??梢奃A/mother die或DA/leadframe界面極易發(fā)生層裂失效。最后還對可靠性測試
4、中疊層QFN器件DA/leadframe界面層裂現(xiàn)象進行了模擬。采用內(nèi)聚力模型法(CZM)預(yù)測出裂紋首先由底部芯片邊角處產(chǎn)生,然后向兩邊擴展,若繼續(xù)增加載荷,則有可能導致DA/leadframe的整個界面發(fā)生分層開裂。用J積分法對界面層裂擴展進行分析,得到與CZM一致的結(jié)論。但在預(yù)測界面裂紋產(chǎn)生方面,CZM比J積分法方便。
3.對疊層QFN器件的結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)化進行了初步探索。選取10個結(jié)構(gòu)參數(shù)作為可控因子,并選擇界面損傷值(da
5、mage)作為響應(yīng)變量。利用MINITAB軟件,首先采用Plackett-Burman設(shè)計對10個因子進行初步篩選,將效應(yīng)不顯著的因子刪除。然后再用全因子試驗設(shè)計對保留下來的5個因子進行因子效應(yīng)及其交互作用的分析,進而選出效應(yīng)最顯著的3個因子,即封裝體的長度、母芯片的長度與厚度。接著用響應(yīng)曲面法確定回歸關(guān)系并求出最優(yōu)結(jié)構(gòu)參數(shù)組合為:封裝體的長度應(yīng)取8mm,母芯片的長度應(yīng)取3.5mm,母芯片的厚度應(yīng)取0.25mm。最后對最佳參數(shù)設(shè)計進行驗
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