FeCo基薄膜的制備及其電磁性能的調(diào)控研究.pdf

1、目前吸波材料主要向?qū)掝l譜、輕質(zhì)化、薄型化及智能化方向發(fā)展，而提高吸波材料在高頻的吸收率一直是隱身技術(shù)中存在的關(guān)鍵問題。為在高頻獲得優(yōu)異的吸波性能，需要材料具有較高的微波磁導(dǎo)率和與之匹配的介電常數(shù)，以及適度的各向異性場。近年來以FeCo基為主體的薄膜材料在高頻領(lǐng)域的研究十分活躍，該材料具有很高的飽和磁化強度，能在微波頻率下維持優(yōu)良的軟磁特性，但是由于薄膜的金屬性使其應(yīng)用困難。
　　本論文采用直流磁控濺射和光刻剝離技術(shù)，制備FeCoN

2、bCuB連續(xù)膜，并進行FeCoBSi薄膜圖形化研究。通過對兩種薄膜的基本結(jié)構(gòu)、靜態(tài)電磁特性以及微波磁導(dǎo)率的分析，探索熱處理工藝對薄膜電磁性能的影響，以及圖案化高磁導(dǎo)率薄膜電磁性能調(diào)控的基本原理，優(yōu)化相關(guān)技術(shù)手段。
　　實驗結(jié)果顯示：
　　對于FeCoNbCuB連續(xù)膜，熱處理工藝使FeCoNbCuB薄膜晶化，其磁共振頻率趨于低頻；熱處理過程中，合適的溫度會提高薄膜微波磁導(dǎo)率，300℃退火溫度處理后的薄膜其微薄磁導(dǎo)率比未退火薄膜

3、有較大提高，從320達到540，而500℃以上的過高溫度熱處理會使得薄膜氧化，同時會生成非磁性相，使得薄膜的磁導(dǎo)率明顯降低。
　　對于FeCoBSi薄膜，圖案化后薄膜的磁飽和磁化強度減小，矯頑力增大，薄膜面內(nèi)磁各向異性進一步提高，其電阻率相比連續(xù)膜也得到顯著的提高；同時圖案化也導(dǎo)致了薄膜微波磁導(dǎo)率下降，圖案化工藝在薄膜引入大量非磁性相以及各類非均勻性，使得薄膜的阻尼因子增加，磁譜的共振線寬增加，其自然共振頻率向高頻移動，并且由共振