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文檔簡介
1、本文系統(tǒng)概述了ZnO納米晶的基本理論，總結(jié)了國內(nèi)外關(guān)于其光電學(xué)特性、制備方法、應(yīng)用及摻雜的研究現(xiàn)狀。在此基礎(chǔ)上采用溶液法合成了ZnO納米晶，并對其基本性能進(jìn)行了研究與探索，著重研究In摻雜對ZnO納米晶的影響。
通過多種分析測試手段和理論分析，研究內(nèi)容如下：
1.為了避免反應(yīng)溶液中出現(xiàn)多種碳鏈長度的陰離子，使用In(Ac)3和HSt反應(yīng)生成了In(St)3，并進(jìn)行FTIR分析，發(fā)現(xiàn)反應(yīng)產(chǎn)物中幾乎沒有硬脂酸的峰
2、，同時有-CH2-峰，說明產(chǎn)物是In(St)3。
2.使用合成的In(St)3為前驅(qū)體制備In2O3納米晶，并研究反應(yīng)溫度對納米晶形貌的影響，溫度在290℃時納米晶形狀為球形，但隨著溫度降低，生長速度降低，出現(xiàn)棒狀、四角針狀等納米晶，并在180℃以下無法生成In2O3納米晶，這些研究都為接下來的摻雜提供了基礎(chǔ)。
3.合成未摻雜與In摻雜ZnO納米晶。我們通過TEM、HRTEM、XRD、PL、UV-vis等手段
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