新型BST可變電容特性測(cè)試與應(yīng)用.pdf

1、BST[BaxSr(1-x)TiO3鈦酸鍶鋇]電調(diào)可變電容是新一代電調(diào)可變電容的典型代表,其具有介質(zhì)損耗低、線性調(diào)諧范圍大等特點(diǎn)。本文結(jié)合 BST電調(diào)可變電容的特性曲線測(cè)試方法,研究BST電調(diào)可變電容在鎖相頻率合成方面的應(yīng)用。
　　本論文首先針對(duì)新型 BST電調(diào)可變電容進(jìn)行了特性測(cè)試研究。通過(guò)采用選頻網(wǎng)絡(luò)、普通電容三點(diǎn)式和集成芯片MC12148壓控振蕩器三種測(cè)試電路,測(cè)試出 cF?U數(shù)據(jù),并結(jié)合諧振頻率變形公式,繪制出C?V特性曲

2、線,分析該新型BST可變電容的線性調(diào)諧特性。根據(jù) MC12148壓控振蕩電路測(cè)試的 cC?U數(shù)據(jù)與電容值定義公式,繪制出ε?E特性曲線,分析該新型BST可變電容的介電性。結(jié)合 cC?U數(shù)據(jù),推導(dǎo)出該BST可變電容的 cC?U經(jīng)驗(yàn)公式。
　　其次,以ADF4001為主芯片,提出了基于新型BST電調(diào)可變電容線性調(diào)諧特性的鎖相頻率合成器設(shè)計(jì)方案。根據(jù)本次頻率合成電路的設(shè)計(jì)方案,參考國(guó)家半導(dǎo)體鎖相環(huán)環(huán)路參數(shù)的計(jì)算公式,分析得出一種計(jì)算無(wú)源