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文檔簡介
1、ZnO薄膜是一種直接寬帶隙半導體材料，具有多種用途，可廣泛的應用于太陽能電池、壓電薄膜、光電器件、氣敏器件和紫外探測器等方面。其特性可通過適當?shù)膿诫s來調(diào)劑。為了研究Ge摻雜對ZnO薄膜發(fā)光特性的影響，本文采用交替濺射和共濺射兩種方法制備了Ge摻雜ZnO薄膜，分別對它們的結(jié)構(gòu)和光致發(fā)光性質(zhì)進行了研究?！ ∫?使用交替濺射的方法制備了Ge-ZnO薄膜，研究了不同沉積功率、襯底對薄膜沉積速率的影響及退火溫度對薄膜結(jié)構(gòu)和光致發(fā)光譜的影響。隨退
2、火溫度的升高，ZnO(002)衍射峰增強，表明薄膜的結(jié)晶度提高。樣品在800℃和1000℃退火后，在XRD譜中，出現(xiàn)了GeO和GeO2衍射峰。同時，在其光致發(fā)光譜中，出現(xiàn)了強的近紫外峰發(fā)射(395nm)及弱的黃峰發(fā)射(590nm)。395nm處的近紫外峰可能同GeO顏色中心及激子的復合相關(guān)，黃峰可能同Ge的摻入有關(guān)?！ 《?使用共濺射方法制備了Ge-ZnO薄膜，研究了不同Ge摻入量及退火溫度對薄膜光致發(fā)光譜的影響，實驗結(jié)果表明適當?shù)腉
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