Al納米粒子對ZnO薄膜光致發(fā)光特性影響的研究.pdf

1、作為第三代半導體材料之一，ZnO由于其很高的寬禁寬度和激子束縛能，在高性能半導體器件上具有很高的應用價值，受到廣泛關注。ZnO寬禁帶的特點使其近帶邊發(fā)射在紫外波段，因此成為紫外激光器、LED的理想候選材料。但是由于ZnO在制備過程中不可避免的會引入各種雜質以及形成各種晶格缺陷，使ZnO材料除了紫外波段的近帶邊發(fā)光，還有位于可見光波段的光致發(fā)光。如何提高紫外發(fā)光效率，減小缺陷雜質發(fā)光的干擾，成為ZnO材料應用于紫外激光器、LED等器件制造

2、迫切需要解決的問題。目前已有工作表明，金屬納米粒子可以增強ZnO近帶邊發(fā)光，但是對其機理的研究還有待完善，本論文工作將通過實驗研究Al納米粒子對ZnO薄膜光致發(fā)光特性的影響，并且結合時域有限差分法研究Al納米粒子的局域表面等離激元共振特性，對Al納米粒子影響ZnO光致發(fā)光特性的機理進行深入探討。
　　首先，利用磁控濺射技術在石英基底上生長ZnO薄膜，通過實驗測量其吸收譜研究ZnO薄膜的能帶結構，確定禁帶寬度，再通過研究ZnO薄膜的

3、光致發(fā)光特性確定其近帶邊發(fā)光的波長。
　　之后，運用時域有限差分法研究Al納米粒子粒徑和局域表面等離激元的關系，確定出局域表面等離激元共振波長等于ZnO薄膜近帶邊發(fā)射波長的Al納米粒子直徑。利用磁控濺射技術在ZnO薄膜上生長Al納米粒子，通過測量ZnO薄膜/Al納米粒子復合結構的光致發(fā)光譜，研究Al納米粒子對ZnO光致發(fā)光特性的影響，結果表明當Al納米粒子存在時，ZnO近帶邊發(fā)光得到顯著增強。
　　最后深入討論了Al納米粒子

4、影響ZnO光致發(fā)光特性的機理。介紹了目前兩種主要的機理解釋——電子轉移理論和激子-局域表面等離激元耦合理論，并且設計實驗對電子轉移理論進行驗證：通過引入Al2O3薄膜阻斷ZnO和Al納米粒子之間的電子轉移，研究ZnO薄膜/Al2O3薄膜/Al納米粒子的光致發(fā)光特性。結果表明在沒有電子轉移存在的條件下，ZnO近帶邊發(fā)射-缺陷雜質發(fā)射光強比仍然得到增強，這樣一來，可以認為電子轉移并非Al納米粒子增強ZnO近帶邊發(fā)光的主要原因。通過研究Al納