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文檔簡介
1、在本文中，我們利用真空陰極弧沉積技術(shù)對Zr-N-C薄膜進行了制備與研究，將獨立的Zr靶和CH2在氮氣環(huán)境下同時放電可以制備出Zr-N-C復合薄膜。結(jié)果表明薄膜由ZrN、ZrC以及ZrxC1-xN多相組成。由于固溶強化、混晶強化以及晶格畸變等因素的共同作用，薄膜的硬度比單純ZrN薄膜有較大的提高；該復合薄膜表現(xiàn)出理想的斷裂韌性以及與基體的結(jié)合效果。
在Zr靶放電的同時結(jié)合熱燈絲離化的CH2和N2混合氣體制備了Zr-N-C復合
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