SiCOH低κ薄膜的ECR等離子體制備及F摻雜效應研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文以十甲基環(huán)五硅氧烷(D5)為反應源、采用電子回旋共振等離子體化學氣相沉積(ECR-CVD)方法制備了介電常數(shù)較低、電學性能和熱穩(wěn)定性優(yōu)良的SiCOH薄膜。通過反應源和薄膜結構的FTIR譜分析，比較了它們在鍵結構上的差異，證實薄膜中形成了由大鍵角Si-O-Si鍵構成的鼠籠式結構，在沉積過程中失去的主要是側鏈的-CH3基團。薄膜經(jīng)過400℃熱處理后，其介電常數(shù)由3.85降低到2.85，對其FTIR譜的分析指出，薄膜中鼠籠式結構比例的增加

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