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1、本文以十甲基環(huán)五硅氧烷(D5)為反應(yīng)源、采用電子回旋共振等離子體化學(xué)氣相沉積(ECR-CVD)方法制備了介電常數(shù)較低、電學(xué)性能和熱穩(wěn)定性優(yōu)良的SiCOH薄膜。通過反應(yīng)源和薄膜結(jié)構(gòu)的FTIR譜分析，比較了它們?cè)阪I結(jié)構(gòu)上的差異，證實(shí)薄膜中形成了由大鍵角Si-O-Si鍵構(gòu)成的鼠籠式結(jié)構(gòu)，在沉積過程中失去的主要是側(cè)鏈的-CH3基團(tuán)。薄膜經(jīng)過400℃熱處理后，其介電常數(shù)由3.85降低到2.85，對(duì)其FTIR譜的分析指出，薄膜中鼠籠式結(jié)構(gòu)比例的增加
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