SiCOH薄膜的雙頻等離子體刻蝕研究.pdf_第1頁
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1、超大規(guī)模集成電路中器件密度的提高、特征線寬的減小導(dǎo)致互連線之間的阻容耦合不斷增大，從而使信號(hào)傳輸延時(shí)、功耗增大、噪聲增大。為了解決這些問題，用低介電常數(shù)(low-к)和超低介電常數(shù)(ultralow-к，к<2)材料替代傳統(tǒng)的SiO2層間絕緣介質(zhì)，成為可能的選擇。作為低к和超低к材料中最有前景的候選者，多孔超低к的SiCOH材料受到廣泛關(guān)注。 作為應(yīng)用于超大規(guī)模集成電路中的低k材料，SiCOH薄膜的刻蝕研究極其重要。與傳統(tǒng)SiO

2、2介質(zhì)的刻蝕相比較，由于SiCOH薄膜中存在孔隙，因此刻蝕率隨著薄膜密度的降低而增加，從而導(dǎo)致薄膜粗糙度增加、側(cè)向微枝結(jié)構(gòu)的形成和刻蝕深度發(fā)生改變，結(jié)果難以實(shí)現(xiàn)SiCOH薄膜刻蝕過程的精確控制。 為實(shí)現(xiàn)SiCOH薄膜刻蝕的精確控制，要求刻蝕時(shí)的碳氟等離子體是富含F(xiàn)的等離子體，并且離子能量可以獨(dú)立控制，因此本文采用CHF3的雙頻電容耦合等離子體(DF-CCP)開展了SiCOH薄膜的刻蝕研究。論文重點(diǎn)研究了13.56MHz/2MHz

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