冷等離子體刻蝕硅的純化效應(yīng)研究.pdf

1、目前，硅材料的高成本使太陽電池的廣泛應(yīng)用受到了極大的限制。大量研究表明，使用純度為4N～6N的太陽級硅制備太陽電池，效率可以達(dá)到單晶電池的80%，但是成本只有其四分之一。因此，研究太陽級硅的制備技術(shù)具有重要意義。
　　 本學(xué)位論文首先介紹了國內(nèi)外太陽級硅制備技術(shù)的新工藝及新方法，并簡要論述了冷等離子體刻蝕純化冶金硅的機理。由于等離子體鞘層內(nèi)才有能量足夠大的粒子，要達(dá)到純化效果，必須使硅粉處于陰極鞘層之內(nèi)。文中對冷等離子體鞘層進(jìn)行

2、了分析和計算，得到了鞘層與電流密度、陰極偏壓、氣壓的關(guān)系式，為增厚鞘層提供了理論指導(dǎo)。建立了硅粉在鞘層的動力學(xué)模型，對硅粉在直立平板反應(yīng)室內(nèi)的受力和運動進(jìn)行了詳細(xì)分析，得到了硅粉在鞘層的沉降時間表達(dá)式?？疾炝斯璺哿?、真空泵抽氣速率、反應(yīng)室氣壓等參數(shù)對硅粉沉降過程的影響。分析表明，當(dāng)硅粉在100 m μ左右時有較好的純化效果和較高的回收率。對冷等離子體中硅粉的刻蝕動力學(xué)進(jìn)行了研究?；谝痪S流體模型，對陰極鞘層內(nèi)的重粒子速度分布、粒子通量