等離子體浸沒式離子注入和等離子體磁性質(zhì)的研究.pdf

1、整篇論文包括兩個(gè)部分,第一部分主要是介紹等離子體浸沒式離子注入的研究,第二部分主要是負(fù)折射的物理原理與等離子體性質(zhì)的聯(lián)系。
　　 第一部分,等離子體浸沒式離子注入(PIII)起源于傳統(tǒng)的離子注入技術(shù)。由于等離子體浸沒式離子注入與傳統(tǒng)的離子注入相比有著很大的優(yōu)勢,是離子全方位地注入到所加工的材料中去,這樣等離子體浸沒式離子注入有效地解決了傳統(tǒng)離子注入的準(zhǔn)直性,因此等離子體浸沒式注入在工業(yè)領(lǐng)域獲得更為廣闊的應(yīng)用。本章首先介紹了等離子

2、體浸沒式離子注入的現(xiàn)狀和優(yōu)缺點(diǎn);其次介紹了用于本次實(shí)驗(yàn)的探針系統(tǒng)的基本原理;接著我們介紹了本次實(shí)驗(yàn)所采用的等離子體源,我們設(shè)計(jì)了一種新型的螺旋耦合天線,與傳統(tǒng)的耦合天線相比,新型的耦合天線很好地改進(jìn)了等離子體源的均勻性。最后我們介紹等離子體浸沒式離子注入所需的負(fù)高壓脈沖電源,及等離子體浸沒式離子注入應(yīng)用于制備P型ZnO薄膜的研究,實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)這種方法有效地降低了電子的濃度,增加了材料的電阻;如果能夠進(jìn)一步優(yōu)化加工過程,也一定能獲得高質(zhì)量的P

3、型的ZnO薄膜。
　　 第二部分,最近這些年左手化媒質(zhì)(left-handedmedium,LHM)和負(fù)折射現(xiàn)象由于其獨(dú)特的物理性質(zhì)和新穎的應(yīng)用得到大家廣泛的研究。多普勒頻移的反轉(zhuǎn)性和切倫科夫輻射的反向性這些不同尋常的物理特征也在左手化媒質(zhì)中出現(xiàn)。材料的電磁性能由介電常數(shù)和磁導(dǎo)率這兩個(gè)重要的參數(shù)所決定,介質(zhì)的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率結(jié)合起來就決定了電磁波將如何在介質(zhì)中傳播。通常情況下材料的ε和u都是正的,但是對于左手化媒質(zhì)它的ε和u都是