電結(jié)晶制備Co-Cu納米多層膜及其巨磁電阻性能的研究.pdf

1、本論文采用雙槽法在N型單晶硅(111)面上硼酸體系中成功地制得了Co/Cu納米多層膜，確定了電沉積制備Co/Cu納米多層膜的工藝條件，利用掃描電鏡(SEM)觀察了多層膜的斷面形貌，結(jié)果表明：多層膜的層狀結(jié)構(gòu)清晰連續(xù)，各個子層的厚度均勻；采用X射線衍射(XRD)分析了多層膜的結(jié)構(gòu)，小角度X射線衍射(LXRD)出現(xiàn)了二級衍射峰，大角度X射線衍射峰的二側(cè)出現(xiàn)了衛(wèi)星峰，表明多層膜具有超晶格結(jié)構(gòu)，用物性測量系統(tǒng)測試了Co/Cu納米多層膜的巨磁電阻

2、(GMR)性能，磁電阻最高可達到90％。 采用了自行研制設(shè)計的流動式單電解槽滴入法制備Co/Cu納米多層膜，考察了電沉積條件對電鍍過程的影響，確定了最佳的工藝條件。并對多層膜的形貌結(jié)構(gòu)進行了分析，用物性測量系統(tǒng)測試了Co/Cu納米多層膜的巨磁電阻(GMR)性能。 首次在Co/Cu納米多層膜的制備中加入了添加劑，探討了添加劑對Co/Cu納米多層膜的影響，試驗結(jié)果表明，添加劑的加入大大的提高了多層膜的GMR性能。 采

3、用物性測量系統(tǒng)(PPMS)測試了Co/Cu納米多層膜的巨磁電阻(GMR)性能，考察了多層膜的周期數(shù)N、Cu層厚度(óCu)以及Co層厚度(óCo)對GMR性能的影響。研究表明，隨周期數(shù)N的增大，多層膜的GMR值也增大，周期數(shù)為60時多層膜的GMR值達到了90％，但隨著周期數(shù)N的繼續(xù)增加達到80周期時，多層膜的GMR值開始降低并趨于飽和；鈷層較薄的時候，Co/Cu納米多層膜沒有明顯的的GMR現(xiàn)象，當(dāng)鈷層電鍍時間增加到5秒時，磁電阻高達52