電沉積Cu-Co納米多層膜及其巨磁電阻性能的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該論文采用雙脈沖控電位技術,在p型單晶硅(111)面上電沉積了不同調制波長(λ)的Cu/Co納米多層膜.掃描電鏡(SEM)測試表明多層膜的層狀結構清晰連續(xù),各子層厚度均勻.采用X-射線衍射(XRD)分析了不同調制波長的多層膜的結構.研究表明調制波長為20~160nm時,鍍層屬外延生長,隨調制波長的減小,外延生長的影響越來越明顯.調制波長小于20nm時,XRD譜圖主峰兩側出現(xiàn)衛(wèi)星峰,表明多層膜形成超晶格結構.Cu、Co的沉積電位(φ<,C

2、u>、φ<,Co>)對多層膜生長取向有明顯影響:隨著φ<,Cu>負移,多層膜(111)面的取向系數(shù)(Tc)逐漸減小;隨著φ<,Co>的負移,多層膜(111)面的Tc逐漸增大.當Co的沉積電位為-1.2V,銅的沉積電位為-0.50V,多層膜(111)面的Tc達到2.86,擇優(yōu)取向非常明顯.采用四探針法測試了Cu/Co多層膜的巨磁阻(GMR)性能,考察了'E、Cu層厚度(δ<,Cu>)、Co層厚度(δ<,Co>)、周期數(shù)及沉積電位對GMR性

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