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文檔簡介
1、ZnO作為一種寬禁帶的化合物半導體材料而言，因為具有穩(wěn)定的化學性能和電學、光學性質，其禁帶寬度在室溫下為3.37eV，沒有毒害的副作用，而且成本便宜等特征，所以備受人們關注，又十分廣泛的用途。本論文設計采用ZnO為大功率半導體激光器的前腔面增透膜。
本論文采用磁控濺射法制備ZnO薄膜，靶材是純Zn靶，濺射工作氣體是高純度的02和Ar。在以Si和石英為襯底制備ZnO薄膜，并研究不同濺射工藝下薄膜的特性。用優(yōu)化后參數在808nm激
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