銀催化腐蝕多孔硅制備及其在硅太陽電池上應(yīng)用.pdf

1、在能源危機日益嚴峻的今天，太陽能作為一種清潔可再生能源具有廣泛的應(yīng)用前景。其中，光伏發(fā)電技術(shù)可以將太陽能直接轉(zhuǎn)化為電能，因而受到研究者的廣泛關(guān)注。硅太陽電池由于原材料資源豐富，轉(zhuǎn)換效率高，所以是現(xiàn)在開發(fā)得最快的太陽電池。目前硅太陽電池占據(jù)光伏市場份額的80％以上，降低生產(chǎn)成本和提高電池效率是硅太陽電池研究的主要方面。
　　為了降低生產(chǎn)成本，需要不斷減薄硅片厚度。光吸收成為硅片減薄后要解決的關(guān)鍵問題之一。表面反射率最小化是提高硅片表

2、面光吸收的有效途徑。本文采用貴金屬銀納米顆粒催化腐蝕法，在硅片表面制備納米多孔硅減反射結(jié)構(gòu)，并應(yīng)用到硅太陽電池器件中，取得的主要創(chuàng)新性成果如下:
　　(1)探究了單晶硅片表面反射率隨反應(yīng)溫度及硅片摻雜類型的變化規(guī)律。多孔硅形貌隨著腐蝕時間的增加，呈現(xiàn)出有規(guī)律的變化，相應(yīng)的硅片表面反射率出現(xiàn)先增高后降低的變化規(guī)律。反應(yīng)時間2～5min表面反射率在可見光范圍內(nèi)可以達到5％以下。N型與P型硅片表現(xiàn)出類似的變化趨勢。
　　(2)目前

3、限制多孔硅太陽電池效率的主要因素是后期電池制備工藝對多孔硅造成的損失及表面復(fù)合問題。本文中首次采用在深發(fā)射極片表面制備多孔硅結(jié)構(gòu)工藝，研究了表面方阻對電池器件效率的影響。所制備多孔硅-金字塔結(jié)構(gòu)太陽電池器件的最佳表面方阻為50Ω/sq，最佳表面方阻條件下得到最高電池效率為14.2％，經(jīng)過SiNx鈍化之后效率可升至15.3％。
　　(3)將在發(fā)射極制備多孔硅結(jié)構(gòu)工藝應(yīng)用到多晶硅太陽電池上。得出當表面方阻值在50Ω/sq左右時，得到的