銀催化腐蝕多孔硅制備及其在硅太陽(yáng)電池上應(yīng)用.pdf

1、在能源危機(jī)日益嚴(yán)峻的今天，太陽(yáng)能作為一種清潔可再生能源具有廣泛的應(yīng)用前景。其中，光伏發(fā)電技術(shù)可以將太陽(yáng)能直接轉(zhuǎn)化為電能，因而受到研究者的廣泛關(guān)注。硅太陽(yáng)電池由于原材料資源豐富，轉(zhuǎn)換效率高，所以是現(xiàn)在開(kāi)發(fā)得最快的太陽(yáng)電池。目前硅太陽(yáng)電池占據(jù)光伏市場(chǎng)份額的80％以上，降低生產(chǎn)成本和提高電池效率是硅太陽(yáng)電池研究的主要方面。
　　為了降低生產(chǎn)成本，需要不斷減薄硅片厚度。光吸收成為硅片減薄后要解決的關(guān)鍵問(wèn)題之一。表面反射率最小化是提高硅片表

2、面光吸收的有效途徑。本文采用貴金屬銀納米顆粒催化腐蝕法，在硅片表面制備納米多孔硅減反射結(jié)構(gòu)，并應(yīng)用到硅太陽(yáng)電池器件中，取得的主要?jiǎng)?chuàng)新性成果如下:
　　(1)探究了單晶硅片表面反射率隨反應(yīng)溫度及硅片摻雜類(lèi)型的變化規(guī)律。多孔硅形貌隨著腐蝕時(shí)間的增加，呈現(xiàn)出有規(guī)律的變化，相應(yīng)的硅片表面反射率出現(xiàn)先增高后降低的變化規(guī)律。反應(yīng)時(shí)間2～5min表面反射率在可見(jiàn)光范圍內(nèi)可以達(dá)到5％以下。N型與P型硅片表現(xiàn)出類(lèi)似的變化趨勢(shì)。
　　(2)目前

3、限制多孔硅太陽(yáng)電池效率的主要因素是后期電池制備工藝對(duì)多孔硅造成的損失及表面復(fù)合問(wèn)題。本文中首次采用在深發(fā)射極片表面制備多孔硅結(jié)構(gòu)工藝，研究了表面方阻對(duì)電池器件效率的影響。所制備多孔硅-金字塔結(jié)構(gòu)太陽(yáng)電池器件的最佳表面方阻為50Ω/sq，最佳表面方阻條件下得到最高電池效率為14.2％，經(jīng)過(guò)SiNx鈍化之后效率可升至15.3％。
　　(3)將在發(fā)射極制備多孔硅結(jié)構(gòu)工藝應(yīng)用到多晶硅太陽(yáng)電池上。得出當(dāng)表面方阻值在50Ω/sq左右時(shí)，得到的