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1、本文采用高壓結(jié)合超高頻的技術(shù)路線，在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備中實(shí)現(xiàn)了微晶硅材料和太陽(yáng)電池的高速沉積，并結(jié)合測(cè)試等離子體光譜、薄膜的光電特性以及結(jié)構(gòu)特性等手段，分析了影響微晶硅沉積速率和薄膜質(zhì)量的原因。主要內(nèi)容如下： ⑴系統(tǒng)研究了氣壓、功率、硅烷濃度、襯底溫度、氣體流量以及電極間距等因素對(duì)微晶硅生長(zhǎng)速率的影響，并結(jié)合OES譜分析了影響生長(zhǎng)速率的原因。 ⑵詳細(xì)研究了影響高速沉積的微晶硅薄膜質(zhì)量的工藝參數(shù)。指出要高速沉積高
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