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文檔簡介
1、自從被發(fā)現(xiàn)之日起,碳納米管(CNT)就一直是科學(xué)界和工程技術(shù)界研究的熱點(diǎn)問題,其作為電子發(fā)射的冷陰極尤其令人關(guān)注.但迄今為止,碳納米管場發(fā)射器件仍未上市,主要是在發(fā)射性能上還存在點(diǎn)密度不夠高、電子發(fā)射不夠穩(wěn)定等問題,在發(fā)射機(jī)理的理解上也存在許多爭論.碳納米管發(fā)射性能的改善是其走向產(chǎn)業(yè)化的重要一步.該論文研究的目的就是進(jìn)一步弄清發(fā)射機(jī)制,并通過對碳納米管進(jìn)行改性處理,提高其場發(fā)射性能.論文從碳納米管生長工藝、場發(fā)射性能的改善以及場發(fā)射平板
2、顯示器制作等三方面進(jìn)行了較為深入的研究.通過兩種方法——改善碳納米管表面狀態(tài)(降低表面勢壘)和襯底-碳納米管界面狀態(tài)(減薄接觸勢壘)來改善PECVD碳納米管膜的發(fā)射性能.研究了表面覆鉿對碳納米管膜發(fā)射性能的改善,證明碳化鉿的存在使表面逸出功降低,從而在較低電場下便可獲得可觀的發(fā)射電流,且發(fā)射電流在10<'-2>Pa的低真空下也能保持穩(wěn)定.另一方面,研究了襯底-碳納米管接觸對場發(fā)射性能的影響.認(rèn)為襯底與碳納米管間的接觸勢壘在場發(fā)射過程中起
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