半導(dǎo)體化納米鋁及鋁合金薄膜霍爾效應(yīng)的研究.pdf

1、本文利用真空蒸發(fā)鍍膜方法，在玻璃基片上蒸鍍鋁薄膜。測(cè)量了鋁膜的電阻率和霍爾效應(yīng)參數(shù)。對(duì)鋁膜樣品進(jìn)行退火處理，研究退火對(duì)材料電阻率、霍爾效應(yīng)的影響。用掃描電子顯微鏡(SEM)對(duì)退火前后的表面形貌進(jìn)行觀察。
　　 真空蒸發(fā)方法制備的鋁膜表面均勻、致密、連續(xù)性好。不同厚度的薄膜，晶粒尺寸不同，較厚的薄膜晶粒尺寸較大，表面也更為粗糙。
　　 用四探針方法測(cè)量了不同厚度的鋁膜的電阻率，隨厚度的增大，電阻率逐漸減小。說明表面和晶界對(duì)

2、電子的散射效應(yīng)減弱，導(dǎo)致電子遷移率提高，進(jìn)而使電阻率減小。
　　 根據(jù)霍爾效應(yīng)原理設(shè)計(jì)并組裝了測(cè)量霍爾電壓的實(shí)驗(yàn)裝置，分別對(duì)不同厚度的鋁膜進(jìn)行了霍爾電壓測(cè)量。發(fā)現(xiàn)所測(cè)樣品的霍爾系數(shù)均比塊狀金屬鋁的霍爾系數(shù)大，且隨鋁膜厚度的減小，霍爾系數(shù)逐漸增大，說明減小鋁膜的厚度可以降低載流子的濃度，從而增大材料霍爾系數(shù)。
　　 對(duì)鋁膜進(jìn)行退火處理后，薄膜的晶粒尺寸增大，缺陷減少，表面趨于平滑。薄膜的電阻率隨退火溫度的升高逐漸減小，說明