版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、能源枯竭的危機(jī)和逐漸惡化的環(huán)境等問(wèn)題,給清潔能源的發(fā)展帶來(lái)了契機(jī)。因而,太陽(yáng)能的研發(fā)與利用受到了廣泛的關(guān)注。而當(dāng)前太陽(yáng)電池的關(guān)鍵問(wèn)題是如何提高其能量轉(zhuǎn)換效率,甚至突破傳統(tǒng)單結(jié)太陽(yáng)電池的理論極限。另一方面,隨著社會(huì)的電氣化發(fā)展,制備高性能的電子元器件的重要性逐漸凸顯了出來(lái)。最近在納米半導(dǎo)體體系中發(fā)現(xiàn)的多重激子效應(yīng)為提升納米半導(dǎo)體太陽(yáng)電池的效率和制備高性能的新一代光電器件提供了一種新方案。雖然多重激子效應(yīng)從發(fā)現(xiàn)至今才只是短短的十年左右,但已
2、經(jīng)發(fā)表了大量的研究結(jié)果。本論文詳細(xì)地綜述了多重激子效應(yīng)的研究歷程、不同維度的納米半導(dǎo)體中多重激子的產(chǎn)生情況、實(shí)驗(yàn)研究手段和理論解釋方法以及光電器件方面的應(yīng)用情況,并展望了其應(yīng)用前景。
當(dāng)前,盡管IV-VI族窄帶半導(dǎo)體PbS具有制備簡(jiǎn)單、性能穩(wěn)定等特點(diǎn)且在遙感和環(huán)境監(jiān)測(cè)等方面有許多應(yīng)用,但對(duì)納米PbS中多重激子效應(yīng)的研究報(bào)道卻較少。因而,本論文較詳細(xì)地研究了PbS量子點(diǎn)中的多重激子效應(yīng)及其對(duì)太陽(yáng)電池效率的增強(qiáng)作用。
利
3、用多重激子效應(yīng)的統(tǒng)計(jì)模型計(jì)算了納米PbS中的多重激子產(chǎn)生情況。結(jié)果表明多重激子效率IQE受光子能量hv和量子點(diǎn)尺度d(或禁帶寬度Eg)的共同影響。IQE隨光子能量hv/Eg的增加而增大,且在IQE曲線上發(fā)現(xiàn)了“臺(tái)階”狀的特征——多重激子產(chǎn)生最有特征的圖譜;IQE隨量子點(diǎn)直徑d的增加先增大后減小。納米PbS中多重激子產(chǎn)生的閾值能量Eth受其尺寸的調(diào)控,在4.00Eg到2.35Eg(tS=50 fs)或2.50 Eg(tS=150 fs)之
4、間變化。
利用改進(jìn)的細(xì)致平衡模型探索了多重激子效應(yīng)對(duì)納米PbS太陽(yáng)電池效率。結(jié)果表明多重激子效應(yīng)對(duì)較大尺度的PbS量子點(diǎn)太陽(yáng)電池的極限效率u(Eg)和能量轉(zhuǎn)換效率η均有增強(qiáng)效果。多重激子效應(yīng)可以將納米PbS太陽(yáng)電池的最大效率ηmax從49.0%提高到52.5%,其最佳尺度從d=4.4 nm(Eg=1.12 eV)增大到了11.6 nm(Eg=0.56 eV)?!袄硐搿倍嘀丶ぷ有?yīng)將甚至可以將最大效率提高到84.9%。但多重激子
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 40780.納米半導(dǎo)體中的多重激子效應(yīng)及其應(yīng)用
- 半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)中激子能量的計(jì)算.pdf
- PbS半導(dǎo)體納米材料非線性光學(xué)特性研究.pdf
- 半導(dǎo)體納米材料的制備及其在生物分析中的應(yīng)用.pdf
- 半導(dǎo)體納米晶的制備及其在電致發(fā)光器件中的應(yīng)用.pdf
- 半導(dǎo)體納米材料的可控合成及其光電應(yīng)用.pdf
- 納米半導(dǎo)體材料的制備及其在光電器件中的應(yīng)用.pdf
- 半導(dǎo)體納米晶材料的合成及其在光電器件中的應(yīng)用.pdf
- 復(fù)合納米半導(dǎo)體材料的SERS應(yīng)用.pdf
- 霍爾元件應(yīng)用霍爾效應(yīng)的半導(dǎo)體
- 半導(dǎo)體納米器件的噪聲模型及其應(yīng)用研究.pdf
- 有機(jī)半導(dǎo)體中激子和極化子輸運(yùn)的調(diào)控機(jī)理研究.pdf
- 有機(jī)半導(dǎo)體中的奇特磁效應(yīng).pdf
- Ⅱ-Ⅵ族-TiO2納米復(fù)合半導(dǎo)體的制備及其應(yīng)用.pdf
- 納米半導(dǎo)體材料的制備及其光催化應(yīng)用研究.pdf
- 稀磁半導(dǎo)體中磁光效應(yīng)的應(yīng)用研究.pdf
- 納米半導(dǎo)體薄膜電極的光電效應(yīng)研究.pdf
- 外場(chǎng)對(duì)InPBi低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中激子態(tài)的影響.pdf
- 利用原位光致發(fā)光測(cè)量研究有機(jī)半導(dǎo)體中的激子過(guò)程.pdf
- Delta-摻雜磁調(diào)制半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)中可控的磁阻效應(yīng).pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論