一類磁調(diào)節(jié)半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)中的巨磁阻效應(yīng).pdf_第1頁
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文檔簡介

1、在過去的幾十年中,巨磁阻器件在信息存儲領(lǐng)域中獲得了很大的應(yīng)用,隨著社會的進(jìn)步發(fā)展,信息量的不斷增加,就需要不斷擴(kuò)大磁記錄的信息量和磁記錄密度,因而磁電阻讀出磁頭材料就要求具有高的電阻、高的磁電阻效應(yīng)和低的總厚度。在納米量級的磁性多層膜結(jié)構(gòu)中能產(chǎn)生巨磁電阻效應(yīng)(GMR),從理論上來說,它將使得計(jì)算機(jī)的硬盤的存儲容量可以再提高近千倍,故展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用前景,引起了人們的關(guān)注。
   本論文在充分考慮磁調(diào)節(jié)半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)(MMNS)中

2、電子自旋輸運(yùn)性質(zhì)的研究現(xiàn)狀和借鑒已有研究成果的基礎(chǔ)上,著眼于已被實(shí)驗(yàn)上所制備的真實(shí)的結(jié)構(gòu),研究了該MMNS結(jié)構(gòu)中的GMR效應(yīng)。
   全文共四章。第一章為緒論,簡要地介紹巨磁阻效應(yīng)。然后,介紹磁調(diào)節(jié)半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的巨磁阻效應(yīng)的研究進(jìn)展及研究方法。最后,簡述處理納米結(jié)構(gòu)中電子輸運(yùn)著名的Landauer-Buttiker電導(dǎo)理論。
   在第二章中,我們從理論上研究了一般的磁調(diào)制半導(dǎo)體納米體系中的巨磁阻效應(yīng),其在實(shí)驗(yàn)上可以通

3、過在半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的表面沉積2個平行的且材料質(zhì)地相同的金屬磁條帶實(shí)現(xiàn)。在這里我們著重強(qiáng)調(diào)精準(zhǔn)的外形尺寸和任意的磁化方向。研究表明,由于電子隧穿平行和反平行磁化構(gòu)型時存在重大的傳輸差異,在這種納米體系中可以達(dá)到相當(dāng)大的巨磁阻效應(yīng)。同時表明,鐵磁條的磁化方向強(qiáng)烈地改變該納米系統(tǒng)的磁電阻率,從而可能導(dǎo)致可調(diào)的巨磁阻器件。
   第三章,我們在前面研究的基礎(chǔ)上,給金屬鐵磁條加上直流電壓,進(jìn)一步研究了外加電壓對該器件中的巨磁阻效應(yīng)的影響。通

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