復(fù)合結(jié)構(gòu)磁芯非對稱巨磁阻抗效應(yīng)的研究.pdf

1、本文主要討論了由Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9和Fe76Si7.6B9.5P5C1.9兩種組分組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)磁芯的非對稱巨磁阻抗(AGMI)效應(yīng)，包括以下兩種磁芯，一種磁芯是中間為具有寬線性巨磁阻抗(GMI)效應(yīng)的FeCuNbSiB薄帶，兩端為均含有硬磁相的FeSiBPC薄帶或是FeCuNbSiB薄帶組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)薄帶磁芯。另一種是中間為軟磁性能較好的FeCuNbSiB薄膜，兩端為均含有硬磁相的FeSiBPC的薄膜組成的復(fù)合結(jié)

2、構(gòu)薄膜磁芯。為了能夠獲得AGMI效應(yīng)，本文分別對組成復(fù)合結(jié)構(gòu)磁芯的薄帶與薄膜進行了單獨的研究，結(jié)果如下:
　　一、FeCuNbSiB薄帶的寬線性GMI效應(yīng)
　　1.FeCuNbSiB薄帶在457MPa張應(yīng)力460℃應(yīng)力退火1h后，樣品的巨磁阻抗曲線具有寬線性，而且相比于其它退火溫度與張應(yīng)力的巨磁阻抗曲線，在近零場附近也是最為靈敏的，其最大阻抗比為590.7％，外磁場的線性區(qū)間為930.2A/m，線性系數(shù)R為0.9945。

3、r>　　2.對于在460℃不同應(yīng)力退火的FeCuNbSiB薄帶，其巨磁阻抗曲線半高寬隨張應(yīng)力的增加而增加，并呈現(xiàn)出近似線性的單調(diào)遞增趨勢。
　　二、FeSiBPC薄膜的縱向驅(qū)動GMI效應(yīng)
　　1.通過用射頻磁控濺射法制得了3.0μm厚FeSiBPC薄膜，采用縱向驅(qū)動模式，薄膜樣品退火溫度高于200℃后，均能顯現(xiàn)出明顯的GMI效應(yīng)，最佳退火溫度為250℃。
　　2.對于3.0μm厚的薄膜樣品，隨著薄膜樣品退火溫度的增加，

4、其GMI曲線的半高寬逐漸減小，靈敏度曲線則是先增加后減小，在樣品退火溫度為300℃時，達到最大為2.06％/(A·m-1)。
　　3.用射頻磁控濺射法又制得了1.5μm厚FeSiBPC薄膜樣品，同樣采取縱向驅(qū)動模式，發(fā)現(xiàn)對于FeSiBPC薄膜樣品，當薄膜厚度為1.5μm，退火溫度高于510℃時，薄膜樣品中含有硬磁相。
　　三、復(fù)合結(jié)構(gòu)磁芯的縱向驅(qū)動AGMI效應(yīng)
　　1.將含有硬磁相的FeSiBPC、FeCuNbSiB薄

5、帶分別與具有寬線性巨磁阻抗效應(yīng)的FeCuNbSiB薄帶組成了復(fù)合結(jié)構(gòu)磁芯，在縱向驅(qū)動模式下，磁化后的磁芯表現(xiàn)出了非對稱巨磁阻抗效應(yīng)的現(xiàn)象，最大阻抗比分別為284.95％、116.3％，峰值對零磁場的偏移大小分別為93.02 A/m、186A/m。
　　2.采用開天窗的方式在Si片上鍍FeCuNbSiB與FeSiBPC薄膜，然后組成復(fù)合結(jié)構(gòu)薄膜的磁芯，其中FeCuNbSiB薄膜的厚度為3.0μm，F(xiàn)eSiBPC薄膜的厚度為1.5μm