水溶性ZnSe量子點的缺陷與雜質(zhì)熒光調(diào)控.pdf

1、本文以水溶性ZnSe類量子點為研究對象，圍繞量子點的制備—熒光調(diào)控—機理分析的研究主線，詳細探究了量子點制各過程中單體注入方式、成核溫度、溶液pH值、配體投料比等實驗因素對量子點熒光特性的影響，通過綜合調(diào)控各種實驗因素調(diào)控量子點的熒光性能，成功制備出了無毒、穩(wěn)定、具有預(yù)期熒光性能的水溶性ZnSe、MnSe∶ZnSe、Cu∶ZnSe、Mn∶ZnSe/Cu∶ZnS等量子點，為深入研究高性能ZnSe類量子點的生長規(guī)律提供了實驗依據(jù)。主要內(nèi)容包

2、括:
　　發(fā)展了一種新型的陽離子反向注入技術(shù)。該技術(shù)利用低反應(yīng)活性單體在較高溫度下成核來抑制成核期單體消耗，使更多單體保留在量子點的生長階段，從而獲得了尺寸較大、表面修飾狀況良好、缺陷熒光被抑制、具有較強深藍色帶隙熒光的ZnSe量子點。量子點的熒光量子產(chǎn)率達到創(chuàng)記錄的15％。
　　研究了成核溫度對MnSe∶ZnSe量子點熒光性能的影響，發(fā)現(xiàn)不同成核溫度下MnSe核的尺寸、濃度及聚集程度方面的差異會引起不同強度的ZnSe內(nèi)部缺

3、陷熒光。利用ZnSe內(nèi)部缺陷熒光和Mn雜質(zhì)熒光形成熒光編碼信號，使單一MnSe∶ZnSe量子點自身成為納米尺度的熒光編碼。通過控制MnSe成核溫度可以精確調(diào)控ZnSe缺陷熒光和Mn雜質(zhì)熒光相對強度，獲得了一系列不同熒光編碼信號的MnSe∶ZnSe量子點。
　　分析了MnSe∶ZnSe量子點制各過程中溶液pH值、配體投料比、單體注入方式等實驗因素對量子點熒光特性的影響，建立了MnSe∶ZnSe量子點熒光調(diào)控機理并成功調(diào)制出具有單一熒

4、光峰、不同雙熒光峰組合或三熒光峰的MnSe∶ZnSe量子點。研究了不同實驗因素下量子點的生長規(guī)律，發(fā)現(xiàn)上述實驗因素都會改變ZnSe在MnSe核界面處的生長速率進而影響界面缺陷數(shù)量以及缺陷熒光強度。
　　制各出了具有黃色熒光的水溶性Cu∶ZnSe量子點。發(fā)現(xiàn)較高的溶液pH值、采用成核摻雜策略以及采用單體多次注入的方式均有助于制備尺寸較大、導(dǎo)帶能量更低的Cu∶ZnSe量子點，使水溶性ZnSe量子點導(dǎo)帶與Cu雜質(zhì)能級間的輻射躍遷擴展到黃