GaN ECR-PEMOCVD生長表面PHEED圖像研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩65頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、GaN基Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體材料是制備藍光到紫外光波段的LED、LD等光電器件的首選材料.由于GaN基材料具有電子漂移飽和速度高、介電常數小、導熱性能好、化學和熱穩(wěn)定性好等特點,也非常適合于制作高溫、高頻及大功率電子器件.GaN作為第三代半導體材料,以其優(yōu)異的性能在半導體微電子器件等領域顯示著很強的應用前景.該論文在國家自然科學基金(自組裝GaN量子點結構的ECR-PEMOCVD生長及特性(69976008))支持下完成的.主要工作是

2、在實驗室自行研制的半導體材料生長裝置ESPD-U上,采用ECR-PEMOCVD方法摸索在藍寶石襯底上進行GaN異質外延初始生長工藝(氫等離子體清洗、氮化、緩沖層生長、外延層生長),并且對各個試驗階段的實驗參數進行分析和優(yōu)化.我們以三乙基鎵(TEGa)作為鎵源,高純氮氣(99.999%)作為氮源;通過反射高能電子衍射儀(RHEED)原位監(jiān)測異質外延生長各個階段,討論了氫等離子體清洗、氮化、緩沖層等預處理條件對異質外延GaN/Al<,2>O

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論