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文檔簡介
1、近來，薄膜體聲波諧振器(FBAR)作為一種體積小、諧振頻率高、性能優(yōu)異的頻率器件受到了廣泛的關(guān)注。FBAR利用聲波在壓電薄膜中傳播時所產(chǎn)生的壓電和逆壓電效應產(chǎn)生諧振，其諧振頻率取決于壓電薄膜厚度。FBAR的一個應用是高靈敏的微質(zhì)量壓電諧振傳感器。這種傳感器通過測量諧振頻率的變化來反映或測定出壓電層表面附著質(zhì)量的改變。FBAR工藝與半導體工藝兼容，可以與相關(guān)微系統(tǒng)功能元件一起構(gòu)成芯片實驗室系統(tǒng)。
本文通過理論推導與軟件仿真相結(jié)合
2、的方法對FBAR進行了深入的理論研究，在此基礎(chǔ)上得出來制備器件的方案。進行的器件的仿真為進一步的研究打下了基礎(chǔ)。通過器件的簡單應用，驗證了器件以及電路的設(shè)計方案。
本文通過射頻磁控濺射方法制備了高質(zhì)量的(002)織構(gòu)ZnO薄膜，分析了薄膜組織結(jié)構(gòu)、化學成分、微觀形貌和殘余應力，獲得較強的(002)織構(gòu)。開發(fā)出較系統(tǒng)的ZnO微細加工技術(shù)，通過增加緩沖層、研究退火工藝、ZnO摻雜等方法改善ZnO薄膜的性能。推導了FBAR的電學阻抗
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