適合聲表面波諧振器的ZnO薄膜研究.pdf

1、隨著信息化檢測技術(shù)的發(fā)展，要求更高的傳感器精度和性能。SAW傳感檢測技術(shù)是一項較新的傳感技術(shù)。由于其靈敏度高、體積小而且便于半導(dǎo)體工藝相集成受到了廣泛的研究。
　　 但是，目前國內(nèi)外大多數(shù)的SAW物理量和化學(xué)量傳感器都是基于延遲線振蕩器的。與SAW延遲線(SAWDL)振蕩器相比，雙端SAW諧振器的傳輸特性與高Q延遲線的特性非常類似，但它有幾個重要特點：一是諧振器的插入損耗要小得多；二是諧振器的尺寸很??；三是聲表面波諧振器調(diào)頻范圍

2、比聲表面波延遲線型窄，增加調(diào)頻范圍會降低穩(wěn)定度。所以對于聲表面波氣體傳感器來說，研究聲表面波諧振器十分有必要。
　　 另一方面，高性能的ZnO薄膜聲表面波器件要求ZnO薄膜高C軸取向，晶粒致密均勻、表面光滑、缺陷少且薄膜的電阻率高。
　　 本文對于聲表面波諧振器展開了理論分析和研究，并探討了緩沖層對于聲表面波器件缺陷性能的影響。
　　 通過在Si(100)襯底、Ti/Si(100)襯底和Au/Si(100)襯底上

3、分別制備ZnO薄膜，探討了緩沖層對ZnO薄膜結(jié)構(gòu)和缺陷的影響，并利用X射線衍射(XRD)測試了ZnO薄膜的晶體結(jié)構(gòu)及擇優(yōu)取向、利用原子力顯微鏡(AFM)觀察ZnO薄膜的表面粗糙度、利用PL光譜檢測了ZnO薄膜的缺陷、利用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀測試了ZnO薄膜的電阻率，重點比較了Ti緩沖層上和Si襯底上ZnO薄膜的性能，分析了Ti緩沖層對于ZnO薄膜缺陷的改善作用。
　　 結(jié)果表明在Ti(緩沖層)/Si(100)襯底上、襯底溫度350℃