電去離子（EDI）脫除硅、硼的研究.pdf

1、該文主要研究了EDI對高純水中硅、硼的脫除方法,并探討了EDI對硅、硼的脫除機(jī)理.主要做了以下四方面的工作:EDI膜堆電阻的研究;EDI脫除硅的研究;EDI脫除硼的研究;EDI脫除硅、硼的機(jī)理探討.EDI膜堆電阻的研究,主要研究了EDI的各個運行參數(shù)對EDI膜堆電阻的影響.通過實驗得出降低EDI膜堆電阻的最佳條件,為EDI脫除硅、硼的研究提供依據(jù).實驗得出降低EDI膜對電阻的最佳條件:電壓40~60V,電流3~5A;濃室進(jìn)水電導(dǎo)一般在1

2、50μS/cm以上;濃室流量0.08L/Min;淡室流量1.2 L/Min.EDI脫除硅的研究,主要研究了EDI對高純水中硅的脫除方法.通過對電壓、進(jìn)水電導(dǎo)(淡室、濃室)、流量(淡室、濃室、極室)、pH值等因素的研究,得出EDI的最佳脫硅條件:在進(jìn)水硅濃度較高的條件下,最佳操作電壓為55V,在進(jìn)水硅濃度較低的條件下,最佳電壓為38V;淡室進(jìn)水電導(dǎo)在40μS/cm以下;濃室進(jìn)水電導(dǎo)在200μS/cm左右時,加藥泵流量為0.65 L/h;在

3、允許范圍內(nèi),淡室、濃室和極室流量均取最小值;pH值在7~8之間.進(jìn)水硅濃度1mg/L,實驗最佳出水硅為2.66μg/L,為目前國內(nèi)最好水平.EDI脫除硼的研究,主要研究了EDI對硼的脫除方法.通過對電壓、進(jìn)水電導(dǎo)(淡室、濃室)、流量(淡室、濃室、極室)、pH值等因素的研究,得出EDI最佳的脫硼條件:電壓在38V左右;淡室進(jìn)水電導(dǎo)在40μS/cm以下;濃室進(jìn)水電導(dǎo)在350μS/cm左右;在允許的條件下,淡室、濃室和極室流量均取最小值;pH