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文檔簡介
1、隨著半導(dǎo)體研究水平和生產(chǎn)技術(shù)的迅速發(fā)展,為了提高集成度和電路的性能,晶體管的尺寸正在迅速減小.橫向器件尺寸縮小,淺結(jié)構(gòu)造和自對準(zhǔn)工藝等雙極性和MOS新工藝,都導(dǎo)致了在半導(dǎo)體器件pn結(jié)附近的電場急劇增加,因此對該類現(xiàn)象的深入研究和正確描述是非常必要和重要的.同時為了能夠更好地進(jìn)行器件模擬研究,對模擬模型的修正也是非常迫切和關(guān)鍵的.目前的研究基本上基于電子空穴產(chǎn)生復(fù)合機(jī)制上,結(jié)合能帶之間隧穿效應(yīng),陷阱輔助隧穿效應(yīng),SRH復(fù)合和雪崩擊穿效應(yīng),
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