GaN基材料的歐姆接觸及相關(guān)器件研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該論文在系統(tǒng)總結(jié)了國內(nèi)外GaN材料制備和器件應(yīng)用的研究歷史和現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上,對金屬與n型GaN的歐姆接觸進(jìn)行了較細(xì)致的研究,計算出接觸電阻率,并在此基礎(chǔ)上制備了AlGaN基肖特基二極管原型器件,向GaN及其合金的微電子器件研究邁出了重要一步.另一項主要工作是對石英襯底上多晶GaN的外延生長進(jìn)行了研究.主要工作如下:1、研究了Al單層及Ti/Al雙層電極與n型GaN在不同退火條件下的歐姆接觸情況,并用挖補圓盤法計算出接觸電阻率.2、利用Ti

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