P-GaN與ITO歐姆接觸的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文針對GaN基發(fā)光二極管中P-GaN與透明導電薄膜ITO的接觸進行研究，嘗試找出透明導電層ITO的優(yōu)化制程條件。將ITO蒸發(fā)時氧流量、ITO厚度及退火溫度制備的的透明電極ITO薄膜應用于GaN基發(fā)光二極管，來增加電流擴展，減小ITO與P-GaN歐姆接觸電阻，降低LED工作電壓及提高透過率、增強LED發(fā)光亮度。
　　本研究中，所采用的ITO薄膜是利用蒸發(fā)系統(tǒng)進行沉積生長。針對所得薄膜進行光學與電性分析，通過L18正交試驗優(yōu)化IT

2、O薄膜的蒸發(fā)及退火參數(shù)，包括蒸發(fā)溫度、蒸發(fā)速率、氧流量、ITO厚度、退火溫度、N2流量和退火時間，得到優(yōu)化參數(shù)為：襯底溫度320℃，沉積速率6nm/min，氧流量30sccm，ITO厚度200nm，退火溫度400℃，N2流量15L/min，退火時間30min，此條件下制得較好光電特性的ITO透明導電薄膜，ITO方塊電阻大約為12Ω/□，透光率達到95％以上。
　　本論文將ITO薄膜應用于218μm×363μm GaN基發(fā)光二極管L

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