多晶硅納米膜歐姆接觸特性的研究.pdf

1、多晶硅納米膜憑借其優(yōu)良的壓阻特性及溫度穩(wěn)定性可廣泛應(yīng)用于壓阻式傳感器，而金屬電極的歐姆接觸特性是決定傳感器性能好壞的首要因素，因此歐姆接觸性能的改進(jìn)對(duì)于傳感器性能的提高及實(shí)用化有重要意義。課題主要研究多晶硅納米薄膜歐姆接觸原理和特性。
　　分析歐姆接觸的能帶理論和傳輸機(jī)制，對(duì)反映金屬/半導(dǎo)體接觸性質(zhì)好壞的接觸電阻率的測(cè)量方法進(jìn)行比較分析，得出對(duì)于多晶硅納米膜的歐姆接觸電阻的測(cè)量采用線性傳輸線模型(TLM)和圓點(diǎn)傳輸線模型(CDTL

2、M)。
　　利用低壓化學(xué)氣相淀積法(LPCVD)在表面有熱氧化二氧化硅的(100)硅襯底上生長(zhǎng)80nm厚多晶硅納米膜,采用原子力顯微鏡對(duì)多晶硅納米膜進(jìn)行表征，納米膜的晶粒大小均勻；采用X射線衍射（XRD）表征鋁金屬與多晶硅界面的結(jié)晶學(xué)結(jié)構(gòu)，得到不同退火條件下鋁與多晶硅接觸的XRD分析圖。
　　對(duì)常用的金屬材料的性質(zhì)進(jìn)行分析，制作出單層金屬Al的歐姆接觸樣品?；诰€性傳輸線模型和圓點(diǎn)傳輸線模型測(cè)量法分別對(duì)樣片在不同溫度和不同時(shí)