P型SiC歐姆接觸高溫可靠性研究.pdf

1、本文針對P型SiC歐姆接觸在高溫應(yīng)用時(shí)的可靠性問題，結(jié)合歐姆接觸的量子隧穿形成機(jī)制，提出了用Al/多晶硅復(fù)合層結(jié)構(gòu)作為P型SiC外延層的歐姆接觸的方法。主要研究內(nèi)容如下： 1) 對在P型SiC上實(shí)現(xiàn)歐姆接觸的工藝方法進(jìn)行了分析，討論了如何克服費(fèi)米釘扎等關(guān)鍵問題；其次，從材料、工藝兩方面總結(jié)了如何提高接觸可靠性的方法； 2) 介紹了SiC的特性、實(shí)驗(yàn)所用到的儀器、比電阻和可靠性的測試方法，并以3C-SiC[歡姆接觸的測量為

2、例，具體講述提高精度的測量方法； 3) 對P型SiC歐姆接觸形成機(jī)制進(jìn)行了研究。首先介紹了費(fèi)米釘扎效應(yīng)的形成及工藝上的消除方法；其次對合金理論和空位理論進(jìn)行了分析；最后提出了一種新的基于量子力學(xué)的納米隧穿形成機(jī)制，并對失效原因進(jìn)行了討論； 4)采用RF輔助熱絲CVD方法(RF+HF+CVD)在單晶硅襯底上生長大面積P型3C-SiC薄膜，所制得樣品結(jié)構(gòu)為Si/SiC；并提出用Al/多晶硅復(fù)合層結(jié)構(gòu)作為P型SiC外延層的歐姆