GaN基激光器p-GaN歐姆接觸的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著GaN基半導(dǎo)體材料的發(fā)展，GaN基器件獲得越來越廣泛的應(yīng)用。然而，在其器件制作工藝中依然存在許多亟待解決的問題。本文針對p-GaN歐姆接觸進(jìn)行了研究，主要包括以下內(nèi)容： 1．研究了Au/Ni/p-GaN歐姆接觸的比接觸電阻率隨退火溫度、時間和氣氛的變化規(guī)律，并得到Au(5nm)/Ni(nm)/p-GaN在N<,2>：O<,2>=3：1的氣氛下于500℃退火5分鐘得到的比接觸電阻率最低。研究了王水溶液對p-GaN歐姆接觸特性的

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